V2到V3,为什么？

V2 To V3 why?

大家肯定对V2升级到V3的突然感到很奇怪，今天有点事情，必须呆在一个地方，也不能去到办公室，所以花点时间给大家解释一下。

大家肯定不会忘记下面这幅图，是基板的俯视图

在图中我们可以看到每个端口后面有一个固态电容，这个电容高达470uF，同时，固态电容的ESR等效电阻也是低得夸张，这款电容的ESR低达12毫欧，这两点也就决定了其充电电流大，充电时间长。如果没有保护电路，这也不成问题，因为几个MS产生的事情，人是不会有啥感觉和。但是加了保护电路呢就不一样了。I.HUB.7的保护电路为了保证对短路的即时保护，在芯片级的保护的基础上，还添加了一级锁定电路，这个电路相对于芯片级的毫秒级，是工作于ns级的，但是，我们不需要那么快的保护，而且要防止一些短时脉冲影响，这个电路的前级是有延时的，延时电路保证只有us级的过冲才会产生动作。

在我们测试过程中就发现了一个问题，就是初始启动以后，电路直接进入了保护状态。经过辛苦的定位，我们终于发现了问题所在：由于V2版是简版设计，所有的电容都串在同一个输出电压上，这样，在输出级，电容容量达到了惊人的470*7=3290uF，即使这么大的电容，其ESR也不过是12*7=84毫欧,这样就导致了超大的充电电流和超长的充电时间。

这是原始参数时的示波器测得的波形，红色曲线一旦到达稳态，整个电路即保护，我们可以看出，整个电路在不到600us时就锁定了。

那如果调整延时电路的参数呢？看下图

这个参数调得刚刚好，在锁定电路动作前，刚好完成了电容的充电。从上图也看得出来，充电时间超过2ms。

继续调整参数

从上图可以看到，参数调整到越大，延迟电路对锁定电平的影响越大！

但是，这就引入一个问题，前级电路的延时会导致前级锁定电路引入的无意义，因为前级电路本身是为提高反应速度而引入的，电容本身需要2ms的充电时间，而芯片级保护本身也就是4~5ms，所以这样前级锁定保护电路要达到正常工作的标准所带来的好处基本上就没有了。所以，这种情况下，就需要从另一个角度来思考这个问题，那就是电容了。如果把电容容量降到10uF，那这个问题也就不存在了。不过，降太小，这个储能电容的意义就大打折扣。所以，最终，我们决定了升级。将电容提升一级，然后每个端口都进行保护，这样，每个端口的都有了前级电路，同时，HUB本身的电容也不对前级锁定保护电路有任何影响！所以，最后就成这样了，V3出炉了！